Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 36

Intorno 19% latenza inferiore

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.3 12.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.2 7.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2177 3169

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns