RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
70
Intorno 11% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
70
Velocità di lettura, GB/s
7.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
1934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link