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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
46
Velocità di lettura, GB/s
11.8
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1920
1854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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