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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
65
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
32
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3592
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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