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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
65
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
33
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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