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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
65
Intorno -132% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
28
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2354
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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