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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2606U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
76
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R744G2606U1S 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
76
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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