RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
34
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
34
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link