RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno 31% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
35
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link