RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno 23% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
31
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link