RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3323
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link