RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
32
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
32
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2464
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link