RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
39
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
39
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
1966
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link