RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
2481
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link