RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
3113
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link