RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
73
Intorno -192% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
25
Velocità di lettura, GB/s
6.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
3845
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link