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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
73
Intorno -181% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
26
Velocità di lettura, GB/s
6.1
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2382
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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