RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Confronto
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
14.6
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2207
3491
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link