RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Confronto
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
33
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
22
Velocità di lettura, GB/s
9.1
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.9
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2279
3515
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link