RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Confronto
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
3540
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link