RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Confronto
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
69
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
3.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
31
Velocità di lettura, GB/s
6.4
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
3.7
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1129
2307
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link