RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Confronto
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2238
3273
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link