RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
75
Intorno -178% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
2,036.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
27
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
1890
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link