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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Confronto
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
76
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
76
Velocità di lettura, GB/s
13.3
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2324
1260
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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