RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Confronto
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
26
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1995
2437
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Segnala un bug
×
Bug description
Source link