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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Motivi da considerare
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
27
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
20
Velocità di lettura, GB/s
11.9
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
3410
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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