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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Confronto
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
75
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
7.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
75
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1820
1763
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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