RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
24
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
3045
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M379B5273DH0-YK0 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link