RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Confronto
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
61
Intorno -144% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
2,410.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
25
Velocità di lettura, GB/s
4,230.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,410.6
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
754
2104
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link