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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
50
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
30
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2732
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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