RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Confronto
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
5.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
45
Velocità di lettura, GB/s
9.4
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.1
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1432
2079
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link