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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
27
Velocità di lettura, GB/s
17.8
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
3495
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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