RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
33
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
22
Velocità di lettura, GB/s
17.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
3286
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link