RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
10.5
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2984
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link