RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
29
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
22
Velocità di lettura, GB/s
10.5
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
3987
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link