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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
12.9
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2323
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CML32GX3M4A1600C10 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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