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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
28
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
21
Velocità di lettura, GB/s
12.9
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
4089
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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