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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
34
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
11.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
31
Velocità di lettura, GB/s
15.6
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.9
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2812
3439
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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