RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
51
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
34
Velocità di lettura, GB/s
15.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3178
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link