RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
15.6
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2689
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link