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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
51
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
35
Velocità di lettura, GB/s
15.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2767
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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