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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno -4% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
28
Velocità di lettura, GB/s
15.8
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2711
2625
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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