RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Confronto
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
86
Intorno 52% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
5.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
86
Velocità di lettura, GB/s
10.7
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
5.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1335
1220
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link