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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
33
Velocità di lettura, GB/s
14.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2583
2824
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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