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Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Confronto
Mushkin 991586 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991586 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991586 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2156
2497
Mushkin 991586 2GB Confronto tra le RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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