RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
92
Intorno -207% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
30
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3164
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link