RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
92
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
34
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2962
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link