RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
27
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
3052
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link