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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641152 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 5641152 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
36
Intorno -57% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
23
Velocità di lettura, GB/s
14.9
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2215
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
INTENSO 5641152 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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