RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
61
Intorno -118% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
2,077.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
28
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
2510
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link